SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.80 грн |
| 10+ | 196.85 грн |
| 100+ | 139.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SPA20N60C3XKSA1 за ціною від 105.48 грн до 357.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPA20N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPA20N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA20N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPA20N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SPA20N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SPA20N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |