
SPA21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 145.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPA21N50C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA21N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.5W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SPA21N50C3XKSA1 за ціною від 157.04 грн до 425.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
SPA21N50C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |