Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB04N50C3ATMA1
SPB04N50C3ATMA1

SPB04N50C3ATMA1 Infineon Technologies

SPB04N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2983481a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 22741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
388+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 388
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB04N50C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

Інші пропозиції SPB04N50C3ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB04N50C3ATMA1 SPB04N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB04N50C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d2983481a Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.