SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 100.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB11N60C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPB11N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPB11N60C3ATMA1 за ціною від 111.02 грн до 292.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB11N60C3ATMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB11N60C3ATMA1 - SPB11N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB11N60C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPB11N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB11N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 3218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPB11N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SPB11N60C3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SPB11N60C3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A |
товару немає в наявності |