SPB17N80C3 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 196.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB17N80C3 Infineon
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 17A, Power dissipation: 227W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SPB17N80C3 за ціною від 270.13 грн до 468.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPB17N80C3 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPB17N80C3 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPB17N80C3 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 386.70 грн |
| 5+ | 317.08 грн |
| 25+ | 284.96 грн |
| 100+ | 270.13 грн |
| SPB17N80C3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 468.30 грн |
| 32+ | 448.18 грн |
| 50+ | 431.11 грн |
| 100+ | 401.60 грн |
| 250+ | 360.57 грн |
| 500+ | 336.73 грн |
| 1000+ | 328.50 грн |
| 2500+ | 321.25 грн |
| SPB17N80C3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)