SPB17N80C3 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 202.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB17N80C3 Infineon
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 17A, Power dissipation: 227W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SPB17N80C3 за ціною від 114.89 грн до 398.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB17N80C3 | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SPB17N80C3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 374.14 грн |
| 10+ | 241.54 грн |
| 100+ | 157.18 грн |
| 500+ | 131.80 грн |
| 1000+ | 114.89 грн |
| SPB17N80C3 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 398.36 грн |
| 5+ | 326.63 грн |
| 25+ | 293.55 грн |
| 100+ | 278.28 грн |