Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB17N80C3ATMA1
SPB17N80C3ATMA1

SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies

SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+128.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SPB17N80C3ATMA1 за ціною від 114.18 грн до 337.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 INFINEON INFNS16608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.71 грн
200+156.53 грн
500+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 INFINEON INFNS16608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.34 грн
10+222.84 грн
50+195.71 грн
200+156.53 грн
500+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.24 грн
10+211.43 грн
100+149.89 грн
500+122.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.96 грн
10+218.85 грн
100+140.26 грн
500+121.93 грн
1000+114.89 грн
2000+114.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 INFNS16608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+195.71 грн
200+156.53 грн
500+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 INFNS16608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+322.34 грн
10+222.84 грн
50+195.71 грн
200+156.53 грн
500+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+332.24 грн
10+211.43 грн
100+149.89 грн
500+122.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1 Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+337.96 грн
10+218.85 грн
100+140.26 грн
500+121.93 грн
1000+114.89 грн
2000+114.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.