Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB18P06PGATMA1
SPB18P06PGATMA1

SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+36.19 грн
2000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85044090, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 81.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції SPB18P06PGATMA1 за ціною від 28.40 грн до 125.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.15 грн
10+72.16 грн
100+48.34 грн
500+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPB18P06P-DS-v01_06-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.41 грн
10+47.74 грн
25+41.37 грн
100+33.20 грн
250+33.06 грн
500+30.24 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 INFINEON INFNS19262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85044090
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.81 грн
11+79.93 грн
100+53.12 грн
500+39.17 грн
1000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.15 грн
10+72.16 грн
100+48.34 грн
500+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 Infineon-SPB18P06P-DS-v01_06-en.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.41 грн
10+47.74 грн
25+41.37 грн
100+33.20 грн
250+33.06 грн
500+30.24 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 INFNS19262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB18P06PGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85044090
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.81 грн
11+79.93 грн
100+53.12 грн
500+39.17 грн
1000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.