Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB18P06PGATMA1
SPB18P06PGATMA1

SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85044090, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81.1W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPB18P06PGATMA1 за ціною від 27.85 грн до 111.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
368+33.32 грн
374+32.79 грн
380+32.26 грн
386+30.59 грн
500+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.70 грн
25+35.13 грн
100+33.33 грн
250+30.35 грн
500+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
518+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 518
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+63.35 грн
265+46.31 грн
273+44.93 грн
500+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.101 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85044090
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.66 грн
14+62.73 грн
100+48.00 грн
500+36.16 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.57 грн
10+59.82 грн
100+44.12 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPB18P06P_DS_v01_06_en-1732142.pdf MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.81 грн
10+53.63 грн
25+46.56 грн
100+37.13 грн
250+36.98 грн
500+33.13 грн
1000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92BC797642F1CC&compId=SPB18P06PGATMA1-dte.pdf?ci_sign=93db9e7468102cc11ceb895a3979f36dd489956b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92BC797642F1CC&compId=SPB18P06PGATMA1-dte.pdf?ci_sign=93db9e7468102cc11ceb895a3979f36dd489956b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 81.1W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 81.1W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.