Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB18P06PGATMA1
SPB18P06PGATMA1

SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 81.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції SPB18P06PGATMA1 за ціною від 30.99 грн до 135.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.47 грн
25+38.84 грн
100+36.85 грн
250+33.56 грн
500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+39.47 грн
374+38.84 грн
380+38.21 грн
386+36.24 грн
500+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+75.06 грн
265+54.87 грн
273+53.23 грн
500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.98 грн
10+76.47 грн
100+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPB18P06P_DS_v01_06_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 89 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+135.67 грн
10+85.49 грн
100+49.68 грн
500+39.16 грн
1000+35.77 грн
2000+31.43 грн
5000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 INFINEON INFNS19262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.47 грн
25+38.84 грн
100+36.85 грн
250+33.56 грн
500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
368+39.47 грн
374+38.84 грн
380+38.21 грн
386+36.24 грн
500+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
518+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+75.06 грн
265+54.87 грн
273+53.23 грн
500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.98 грн
10+76.47 грн
100+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 Infineon_SPB18P06P_DS_v01_06_en.pdf
SPB18P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 89 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.67 грн
10+85.49 грн
100+49.68 грн
500+39.16 грн
1000+35.77 грн
2000+31.43 грн
5000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1 INFNS19262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB18P06PGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.