SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 37.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 81.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
Інші пропозиції SPB18P06PGATMA1 за ціною від 31.13 грн до 124.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SPB18P06PGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 81.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 37.77 грн |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.78 грн |
| 25+ | 38.17 грн |
| 100+ | 36.21 грн |
| 250+ | 32.98 грн |
| 500+ | 31.13 грн |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 368+ | 38.78 грн |
| 374+ | 38.17 грн |
| 380+ | 37.55 грн |
| 386+ | 35.61 грн |
| 500+ | 32.43 грн |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 43.56 грн |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 518+ | 68.72 грн |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 73.75 грн |
| 265+ | 53.91 грн |
| 273+ | 52.30 грн |
| 500+ | 46.59 грн |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.18 грн |
| 10+ | 75.98 грн |
| 100+ | 50.94 грн |
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SPB18P06PGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)