SPB20N60C3ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 127.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB20N60C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SPB20N60C3ATMA1 за ціною від 172.55 грн до 461.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 5591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SPB20N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
товар відсутній |