Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB20N60S5ATMA1
SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1 Infineon Technologies

spb20n60s5_rev.2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+184.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB20N60S5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPB20N60S5ATMA1 за ціною від 196.55 грн до 199.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb20n60s5_rev.2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+196.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb20n60s5_rev.2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+199.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb20n60s5_rev.2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb20n60s5_rev.2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spb20n60s5_rev.2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB20N60S5_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPB20N60S5_DS_v02_03_en-3360310.pdf MOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.