Продукція > SPB > SPB80N03S2L-06G

SPB80N03S2L-06G


Виробник:

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB80N03S2L-06G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPB80N03S2L-06G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPB80N03S2L-06 G Виробник : INF SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2L-06.pdf TO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB80N03S2L-06 G SPB80N03S2L-06 G Виробник : Infineon Technologies SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2L-06.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
товар відсутній
SPB80N03S2L-06 G SPB80N03S2L-06 G Виробник : Infineon Technologies SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2L-06.pdf MOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній