SPB80N06S08ATMA1

SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies


spp_b_i80n06s-08green.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+226.74 грн
500+215.55 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPB80N06S08ATMA1 за ціною від 184.32 грн до 226.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp_b_i80n06s-08green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+226.74 грн
500+215.55 грн
1000+203.35 грн
10000+184.32 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp_b_i80n06s-08green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+226.74 грн
500+215.55 грн
1000+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-SPP_B_I80N06S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43242915789&ack=t Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N06S08ATMA1 - SPB80N06S - 60V POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+217.05 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp_b_i80n06s-08green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP_B_I80N06S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43242915789&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.