Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SPB80N08S2-07
SPB80N08S2-07

SPB80N08S2-07

SP%28B%2CI%2CP%2980N08S2-07.pdf
Код товару: 89001
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPB80N08S2-07

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB80N08S2-07 Виробник : INFINEON SP%28B%2CI%2CP%2980N08S2-07.pdf TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2-07 Виробник : Infineon SP%28B%2CI%2CP%2980N08S2-07.pdf MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2-07 SPB80N08S2-07 Виробник : Infineon Technologies SP%28B%2CI%2CP%2980N08S2-07.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.