SPB80P06PG Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 370.28 грн |
| 41+ | 354.37 грн |
| 50+ | 340.87 грн |
| 100+ | 317.54 грн |
| 250+ | 285.10 грн |
| 500+ | 266.25 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
39 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB80P06PG Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -80A; 340W; D2PAK, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -80A, Power dissipation: 340W, Case: D2PAK, On-state resistance: 23mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції SPB80P06PG за ціною від 273.69 грн до 505.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPB80P06P G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; -60V; -80A; 340W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A Power dissipation: 340W Case: D2PAK On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPB80P06P G | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPB80P06P G | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 |
на замовлення 7616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPB80P06P G |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -80A; 340W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -80A; 340W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 389.09 грн |
| 30+ | 321.25 грн |
| 50+ | 312.90 грн |
| 60+ | 311.23 грн |
| 100+ | 276.19 грн |
| 200+ | 273.69 грн |
| SPB80P06P G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 505.85 грн |
| 30+ | 484.11 грн |
| 50+ | 465.67 грн |
| 100+ | 433.80 грн |
| 250+ | 389.48 грн |
| 500+ | 363.73 грн |
| SPB80P06P G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
на замовлення 7616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




