Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGATMA1

SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

spp80p06p.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPB80P06PGATMA1 за ціною від 99.33 грн до 351.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+127.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+136.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+140.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+175.14 грн
500+129.94 грн
1000+118.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+177.36 грн
76+161.83 грн
500+161.01 грн
1000+144.23 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+269.88 грн
10+221.16 грн
25+207.80 грн
100+152.00 грн
250+139.32 грн
500+99.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+290.64 грн
52+238.17 грн
55+223.78 грн
100+163.69 грн
250+150.04 грн
500+106.98 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.33 грн
10+222.32 грн
25+213.06 грн
100+152.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+317.66 грн
10+236.95 грн
100+175.14 грн
500+129.94 грн
1000+118.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+331.99 грн
51+240.95 грн
54+230.91 грн
100+165.70 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.19 грн
10+225.69 грн
100+159.70 грн
500+123.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPB80P06PG_DS_v01_06_en-1732173.pdf MOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2
на замовлення 900 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна
2+351.79 грн
10+247.31 грн
25+208.17 грн
100+153.06 грн
500+123.98 грн
1000+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.61 грн
6+212.38 грн
15+200.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.