Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGATMA1

SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

spp80p06p.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPB80P06PGATMA1 за ціною від 98.86 грн до 338.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+134.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+135.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+168.36 грн
500+124.91 грн
1000+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+176.51 грн
76+161.05 грн
500+160.24 грн
1000+143.54 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+268.58 грн
10+220.09 грн
25+206.80 грн
100+151.27 грн
250+138.65 грн
500+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+289.25 грн
52+237.02 грн
55+222.71 грн
100+162.91 грн
250+149.32 грн
500+106.46 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.86 грн
10+221.25 грн
25+212.04 грн
100+152.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.36 грн
10+227.78 грн
100+168.36 грн
500+124.91 грн
1000+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+330.39 грн
51+239.79 грн
54+229.80 грн
100+164.91 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.63 грн
10+216.95 грн
100+153.51 грн
500+118.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPB80P06PG_DS_v01_06_en-1732173.pdf MOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2
на замовлення 900 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна
2+338.17 грн
10+237.74 грн
25+200.11 грн
100+147.14 грн
500+119.18 грн
1000+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+314.93 грн
6+204.15 грн
15+193.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.