Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGATMA1

SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

spp80p06p.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPB80P06PGATMA1 за ціною від 109.28 грн до 372.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+129.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+149.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+181.19 грн
76+165.32 грн
500+164.49 грн
1000+147.34 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+296.91 грн
52+243.31 грн
55+228.61 грн
100+167.23 грн
250+153.27 грн
500+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.12 грн
10+260.69 грн
25+244.94 грн
100+179.17 грн
250+164.22 грн
500+117.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+339.15 грн
51+246.15 грн
54+235.89 грн
100+169.28 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.75 грн
10+230.56 грн
100+163.14 грн
500+126.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPB80P06PG_DS_v01_06_en-1732173.pdf MOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2
на замовлення 900 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна
2+359.38 грн
10+252.65 грн
25+212.66 грн
100+156.37 грн
500+126.66 грн
1000+121.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+361.09 грн
10+262.06 грн
25+251.15 грн
100+180.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+371.87 грн
10+252.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.57 грн
6+216.96 грн
15+205.23 грн
100+205.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.