Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGATMA1

SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+119.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPB80P06PGATMA1 за ціною від 115.57 грн до 383.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.61 грн
76+186.69 грн
500+185.75 грн
1000+166.39 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.79 грн
10+211.25 грн
100+149.48 грн
500+115.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.30 грн
10+274.76 грн
25+258.17 грн
100+188.85 грн
250+173.09 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.30 грн
52+274.76 грн
55+258.17 грн
100+188.85 грн
250+173.09 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.58 грн
10+276.20 грн
25+264.71 грн
100+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.00 грн
51+277.97 грн
54+266.39 грн
100+191.16 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 INFINEON INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 spp80p06p.pdf
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+169.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 spp80p06p.pdf
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+169.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 spp80p06p.pdf
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+204.61 грн
76+186.69 грн
500+185.75 грн
1000+166.39 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.79 грн
10+211.25 грн
100+149.48 грн
500+115.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 spp80p06p.pdf
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+335.30 грн
10+274.76 грн
25+258.17 грн
100+188.85 грн
250+173.09 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 spp80p06p.pdf
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+335.30 грн
52+274.76 грн
55+258.17 грн
100+188.85 грн
250+173.09 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 spp80p06p.pdf
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+380.58 грн
10+276.20 грн
25+264.71 грн
100+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 spp80p06p.pdf
SPB80P06PGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+383.00 грн
51+277.97 грн
54+266.39 грн
100+191.16 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1 INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB80P06PGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.