SPD02N50C3BTMA1

SPD02N50C3BTMA1 Infineon Technologies


Infineon-SPD02N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b1aa3ea202dac Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 124268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
770+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD02N50C3BTMA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-311, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD02N50C3BTMA1 за ціною від 32.68 грн до 32.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD02N50C3BTMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-SPD02N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b1aa3ea202dac Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD02N50C3BTMA1 - SPD02N50 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
741+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 741
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N50C3BTMA1 SPD02N50C3BTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD02N50C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30432b16d655012b1aa3ea202dac Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.