Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3ATMA1

SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies

infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD02N80C3ATMA1 за ціною від 26.91 грн до 71.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.43 грн
500+34.60 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
621+49.67 грн
1000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 621
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+55.93 грн
225+54.83 грн
266+46.35 грн
277+42.97 грн
500+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334 Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.20 грн
10+50.12 грн
100+41.00 грн
500+30.97 грн
1000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD02N80C3-DataSheet-v02_94-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 45995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.51 грн
10+51.83 грн
100+37.93 грн
500+29.79 грн
1000+28.73 грн
2500+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.10 грн
15+59.26 грн
100+48.43 грн
500+34.60 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.02 грн
12+59.92 грн
25+58.74 грн
100+47.89 грн
250+42.63 грн
500+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 2A; 42W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD02N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1430cc1b0334 Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.