SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SPD02N80C3ATMA1 за ціною від 30.38 грн до 89.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD02N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD02N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
на замовлення 8934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD02N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 55863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|