Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3ATMA1

SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.17 грн
7500+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm.

Інші пропозиції SPD02N80C3ATMA1 за ціною від 30.01 грн до 124.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
621+56.90 грн
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 621 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.07 грн
225+62.81 грн
266+53.10 грн
277+49.22 грн
500+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.93 грн
12+64.07 грн
25+62.81 грн
100+51.20 грн
250+45.58 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 11925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.21 грн
10+76.11 грн
50+57.06 грн
100+47.79 грн
500+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD02N80C3-DataSheet-v02_94-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 5902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 11307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 11307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
621+56.90 грн
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 621 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+64.07 грн
225+62.81 грн
266+53.10 грн
277+49.22 грн
500+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+75.93 грн
12+64.07 грн
25+62.81 грн
100+51.20 грн
250+45.58 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 11925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.21 грн
10+76.11 грн
50+57.06 грн
100+47.79 грн
500+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 Infineon-SPD02N80C3-DataSheet-v02_94-EN.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 5902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 11307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 11307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.