SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.88 грн |
| 7500+ | 31.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm.
Інші пропозиції SPD02N80C3ATMA1 за ціною від 31.00 грн до 143.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
на замовлення 9380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 70 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD02N80C3ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm |
на замовлення 11207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.31 грн |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.35 грн |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 621+ | 59.06 грн |
| 1000+ | 54.47 грн |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 66.50 грн |
| 225+ | 65.19 грн |
| 266+ | 55.11 грн |
| 277+ | 51.09 грн |
| 500+ | 32.44 грн |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.81 грн |
| 12+ | 66.50 грн |
| 25+ | 65.19 грн |
| 100+ | 53.15 грн |
| 250+ | 47.31 грн |
| 500+ | 31.14 грн |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 9380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.90 грн |
| 10+ | 82.14 грн |
| 50+ | 61.59 грн |
| 100+ | 51.58 грн |
| 500+ | 40.65 грн |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 70 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.95 грн |
| 10+ | 67.57 грн |
| 100+ | 48.75 грн |
| 500+ | 39.50 грн |
| 1000+ | 37.32 грн |
| 2500+ | 33.03 грн |
| 5000+ | 31.00 грн |
| SPD02N80C3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)