Технічний опис SPD03N50C3
- MOSFET, N, TO-252
- Transistor Polarity:N Channel
- Max Current Id:3.2A
- Max Voltage Vds:560V
- On State Resistance:1.4ohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:38W
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:TO-252
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:TO-252
- Cont Current Id:3.2A
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:Power MOSFET
- Typ Voltage Vds:560V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції SPD03N50C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD03N50C3 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SPD03N50C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SPD03N50C3 | Виробник : INFINEON |
07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
SPD03N50C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK |
товару немає в наявності |
|
 |
SPD03N50C3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 500V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C3 |
товару немає в наявності |