Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD03N50C3ATMA1
SPD03N50C3ATMA1

SPD03N50C3ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
469+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 469
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD03N50C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD03N50C3ATMA1 за ціною від 38.26 грн до 58.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD03N50C3ATMA1 - SPD03N50 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
452+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD03N50C3_DataSheet_v02_07_EN-3363719.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.71 грн
10+50.85 грн
100+41.27 грн
500+39.51 грн
1000+38.48 грн
2500+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spd03n50c3_rev.2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b SPD03N50C3ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b Description: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b Description: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.