Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD03N60C3ATMA1
SPD03N60C3ATMA1

SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies

SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD03N60C3ATMA1 за ціною від 33.14 грн до 136.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd03n60c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.10 грн
10+50.88 грн
100+37.93 грн
500+35.62 грн
1000+34.34 грн
2500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 17086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.49 грн
10+83.52 грн
100+56.17 грн
500+41.69 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.