SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPD04N60C3ATMA1 за ціною від 45.98 грн до 196.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 1927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 3131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SPD04N60C3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 13.5A Power dissipation: 50W Case: PG-TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |