Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04N60C3ATMA1
SPD04N60C3ATMA1

SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies

infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+105.56 грн
500+95.00 грн
1000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SPD04N60C3ATMA1 за ціною від 46.34 грн до 196.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.56 грн
500+95.00 грн
1000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.02 грн
10+98.28 грн
100+67.01 грн
500+50.32 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.55 грн
10+105.95 грн
100+62.87 грн
500+50.07 грн
1000+49.30 грн
2500+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.91 грн
10+127.17 грн
100+86.97 грн
500+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 infineon-spd04n60c3-datasheet-v02_06-en.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+105.56 грн
500+95.00 грн
1000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.02 грн
10+98.28 грн
100+67.01 грн
500+50.32 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon_SPD04N60C3_DataSheet_v02_06_EN.pdf
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.55 грн
10+105.95 грн
100+62.87 грн
500+50.07 грн
1000+49.30 грн
2500+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 INFN-S-A0010753410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD04N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.91 грн
10+127.17 грн
100+86.97 грн
500+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.