SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 62.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm.
Інші пропозиції SPD04N60C3ATMA1 за ціною від 51.73 грн до 177.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 2771 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SPD04N60C3ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPD04N60C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 77.38 грн |
| SPD04N60C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 320+ | 114.30 грн |
| 500+ | 102.88 грн |
| 1000+ | 94.87 грн |
| SPD04N60C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 320+ | 114.30 грн |
| 500+ | 102.88 грн |
| 1000+ | 94.87 грн |
| SPD04N60C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.80 грн |
| 10+ | 113.10 грн |
| 100+ | 67.12 грн |
| 500+ | 56.01 грн |
| 2500+ | 51.73 грн |
| SPD04N60C3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)