Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Name: SPD04N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5413686-3
Price: 107000.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	42.80 грн
5000+	39.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD04N80C3ATMA1 за ціною від 40.68 грн до 154.52 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	50.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	56.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	58.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	58.61 грн
500+	53.86 грн
1000+	49.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	60.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	70.10 грн
10+	57.58 грн
25+	49.84 грн
100+	46.81 грн
500+	46.66 грн
1000+	45.80 грн
2500+	40.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
161+	77.59 грн
162+	77.18 грн
183+	67.99 грн
250+	51.79 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 6037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	82.73 грн
50+	63.23 грн
100+	58.61 грн
500+	53.86 грн
1000+	49.12 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	90.93 грн
10+	83.14 грн
25+	82.69 грн
100+	70.25 грн
250+	51.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
96+	129.54 грн
98+	127.47 грн
123+	101.26 грн
200+	93.14 грн
500+	59.50 грн
1000+	48.06 грн
2000+	46.64 грн
2500+	46.11 грн
5000+	44.15 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

на замовлення 6624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	154.52 грн
10+	95.02 грн
100+	64.38 грн
500+	48.11 грн
1000+	45.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SPD04N80C3ATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.