Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04N80C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.23 грн
5000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD04N80C3ATMA1 за ціною від 40.81 грн до 170.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.29 грн
500+55.40 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+78.88 грн
162+78.46 грн
183+69.12 грн
250+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.10 грн
50+65.04 грн
100+60.29 грн
500+55.40 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+92.43 грн
10+84.51 грн
25+84.06 грн
100+71.41 грн
250+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+131.69 грн
98+129.58 грн
123+102.93 грн
200+94.68 грн
500+60.49 грн
1000+48.86 грн
2000+47.41 грн
2500+46.87 грн
5000+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.35 грн
10+95.91 грн
100+65.03 грн
500+48.60 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.50 грн
10+107.45 грн
100+63.33 грн
500+50.39 грн
1000+47.12 грн
2500+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.