Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04N80C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.78 грн
5000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD04N80C3ATMA1 за ціною від 43.21 грн до 126.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.85 грн
500+49.08 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+75.94 грн
162+75.54 грн
183+66.55 грн
250+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+77.13 грн
10+70.52 грн
25+70.14 грн
100+59.59 грн
250+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+60.24 грн
100+51.93 грн
500+48.58 грн
1000+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.97 грн
50+73.52 грн
100+59.85 грн
500+49.08 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.47 грн
10+72.75 грн
100+53.14 грн
250+52.69 грн
500+47.56 грн
1000+47.34 грн
2500+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+126.79 грн
98+124.76 грн
123+99.10 грн
200+91.16 грн
500+58.24 грн
1000+47.04 грн
2000+45.65 грн
2500+45.13 грн
5000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.