Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04N80C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 63W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.

Інші пропозиції SPD04N80C3ATMA1 за ціною від 43.20 грн до 170.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+90.41 грн
162+89.92 грн
183+79.22 грн
250+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.88 грн
10+90.41 грн
25+89.92 грн
100+76.39 грн
250+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+150.94 грн
98+148.52 грн
123+117.98 грн
200+108.52 грн
500+69.33 грн
1000+56.00 грн
2000+54.34 грн
2500+53.72 грн
5000+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon_spd04n80c3_datasheet_en.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+169.16 грн
10+82.27 грн
100+55.72 грн
500+47.99 грн
1000+45.93 грн
2500+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 6559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.00 грн
10+104.65 грн
50+79.26 грн
100+66.69 грн
500+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+63.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+90.41 грн
162+89.92 грн
183+79.22 грн
250+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+98.88 грн
10+90.41 грн
25+89.92 грн
100+76.39 грн
250+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+150.94 грн
98+148.52 грн
123+117.98 грн
200+108.52 грн
500+69.33 грн
1000+56.00 грн
2000+54.34 грн
2500+53.72 грн
5000+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 infineon_spd04n80c3_datasheet_en.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.16 грн
10+82.27 грн
100+55.72 грн
500+47.99 грн
1000+45.93 грн
2500+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 6559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.00 грн
10+104.65 грн
50+79.26 грн
100+66.69 грн
500+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 4320257.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 4320257.pdf
SPD04N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.