Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04N80C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.28 грн
5000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD04N80C3ATMA1 за ціною від 39.08 грн до 154.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.60 грн
500+50.17 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.07 грн
50+58.90 грн
100+54.60 грн
500+50.17 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+87.07 грн
162+86.60 грн
183+76.29 грн
250+58.11 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+95.23 грн
10+87.07 грн
25+86.60 грн
100+73.57 грн
250+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+145.36 грн
98+143.03 грн
123+113.62 грн
200+104.51 грн
500+66.77 грн
1000+53.93 грн
2000+52.33 грн
2500+51.74 грн
5000+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.77 грн
10+93.19 грн
100+63.15 грн
500+47.19 грн
1000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.15 грн
10+80.77 грн
100+50.42 грн
500+43.05 грн
1000+39.92 грн
2500+39.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.