SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 41.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.
Інші пропозиції SPD04N80C3ATMA1 за ціною від 41.44 грн до 121.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 5287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 5287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
на замовлення 21865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 63W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
SPD04N80C3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 63W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |