SPD04P10PGBTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: SIPMOS
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Технічний опис SPD04P10PGBTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції SPD04P10PGBTMA1 за ціною від 22.20 грн до 77.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SPD04P10PGBTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2 |
на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SPD04P10PGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SPD04P10PGBTMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.13 грн |
| 10+ | 62.74 грн |
| 100+ | 37.14 грн |
| 500+ | 31.08 грн |
| 1000+ | 26.43 грн |
| 2500+ | 23.89 грн |
| 5000+ | 22.20 грн |
| SPD04P10PGBTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 77.21 грн |
| 16+ | 51.64 грн |
| 100+ | 41.69 грн |
| 500+ | 28.63 грн |
| 1000+ | 23.89 грн |