Продукція > INFINEON > SPD04P10PGBTMA1
SPD04P10PGBTMA1

SPD04P10PGBTMA1 INFINEON

INFNS19433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04P10PGBTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції SPD04P10PGBTMA1 за ціною від 11.09 грн до 14.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD04P10P_DS_v01_06_en-1227707.pdf MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 INFINEON INFNS19433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 Infineon Technologies SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8 Trans MOSFET P-CH 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.26 грн
54+14.05 грн
100+12.93 грн
250+11.95 грн
500+11.46 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 Infineon_SPD04P10P_DS_v01_06_en-1227707.pdf
SPD04P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 INFNS19433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD04P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.26 грн
54+14.05 грн
100+12.93 грн
250+11.95 грн
500+11.46 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.