Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04P10PGBTMA1
SPD04P10PGBTMA1

SPD04P10PGBTMA1 Infineon Technologies

spd04p10p_rev1.0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04P10PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції SPD04P10PGBTMA1 за ціною від 21.21 грн до 73.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+27.21 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19433-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.46 грн
15+57.06 грн
100+41.35 грн
500+27.21 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD04P10P_DS_v01_06_en-1227707.pdf MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.23 грн
10+64.59 грн
100+38.24 грн
500+32.00 грн
1000+27.21 грн
2500+24.60 грн
5000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8 SPD04P10PGBTMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8 Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD04P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ad1e743f8 Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.