SPD04P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD04P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD04P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4.2 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPD04P10PLGBTMA1 за ціною від 20.89 грн до 87.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - SPD04P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4.2 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
SPD04P10PLGBTMA1 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 380µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 380µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |