на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.20 грн |
| 10+ | 115.16 грн |
| 100+ | 71.53 грн |
| 500+ | 60.35 грн |
| 1000+ | 51.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD06N60C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPD06N60C3ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SPD06N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SPD06N60C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |