SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+48.32 грн
5000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SPD06N80C3ATMA1 за ціною від 44.90 грн до 219.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.54 грн
5000+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.85 грн
5000+66.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+102.33 грн
500+92.10 грн
1000+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+102.33 грн
500+92.10 грн
1000+84.94 грн
10000+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.52 грн
10+102.78 грн
100+69.97 грн
500+52.49 грн
1000+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.50 грн
10+101.32 грн
100+64.84 грн
500+52.23 грн
1000+48.07 грн
2500+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+219.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+212.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+66.54 грн
5000+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+66.85 грн
5000+66.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
346+102.33 грн
500+92.10 грн
1000+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
346+102.33 грн
500+92.10 грн
1000+84.94 грн
10000+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.52 грн
10+102.78 грн
100+69.97 грн
500+52.49 грн
1000+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.50 грн
10+101.32 грн
100+64.84 грн
500+52.23 грн
1000+48.07 грн
2500+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+219.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+212.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.