SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 50.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.
Інші пропозиції SPD06N80C3ATMA1 за ціною від 48.71 грн до 220.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V |
на замовлення 5255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 3436 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPD06N80C3ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SPD06N80C3ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 66.99 грн |
| 5000+ | 66.39 грн |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 67.30 грн |
| 5000+ | 66.70 грн |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 346+ | 103.02 грн |
| 500+ | 92.72 грн |
| 1000+ | 85.50 грн |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 346+ | 103.02 грн |
| 500+ | 92.72 грн |
| 1000+ | 85.50 грн |
| 10000+ | 73.51 грн |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.78 грн |
| 10+ | 106.81 грн |
| 50+ | 81.14 грн |
| 100+ | 68.37 грн |
| 500+ | 54.72 грн |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.85 грн |
| 10+ | 90.83 грн |
| 100+ | 67.94 грн |
| 500+ | 56.31 грн |
| 1000+ | 53.53 грн |
| 2500+ | 48.71 грн |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 220.46 грн |
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SPD06N80C3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)