Продукція > NEXPERIA USA INC. > SPD07N60C3BTMA1

SPD07N60C3BTMA1 Nexperia USA Inc.

Infineon-SPD07N60C3-DataSheet-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+140.20 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD07N60C3BTMA1 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD07N60C3BTMA1 за ціною від 170.01 грн до 170.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD07N60C3BTMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-SPD07N60C3-DataSheet-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD07N60C3BTMA1 - LOW POWERLEGACY
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+170.01 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3BTMA1 SPD07N60C3BTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd07n60c3-datasheet-v02_08-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3BTMA1 SPD07N60C3BTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3BTMA1 SPD07N60C3BTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.