Інші пропозиції SPD08N50C3ATMA1 за ціною від 41.40 грн до 185.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 11616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 7.6A; 83W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
SPD08N50C3ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |