Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD08N50C3ATMA1
SPD08N50C3ATMA1

SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.

Інші пропозиції SPD08N50C3ATMA1 за ціною від 44.58 грн до 88.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.32 грн
197+62.82 грн
500+60.50 грн
2000+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
178+69.28 грн
180+68.67 грн
232+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD08N50C3_DataSheet_v02_07_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.77 грн
10+64.68 грн
100+55.79 грн
2500+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
376+81.95 грн
500+78.47 грн
1000+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 376
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.84 грн
13+68.64 грн
100+54.65 грн
500+49.24 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 11844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.51 грн
10+63.18 грн
100+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.05 грн
10+74.23 грн
25+73.58 грн
100+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.67 грн
250+71.47 грн
500+45.46 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Category: Transistors - Unclassified
Description: SPD08N50C3ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1
Код товару: 169599
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPD08N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1ea5b45f0334 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5258spd08n50c3_rev.2.6.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.