Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SPD08N50C3ATMA1

SPD08N50C3ATMA1

fundamentals-of-power-semiconductors
Код товару: 169599
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPD08N50C3ATMA1 за ціною від 49.41 грн до 211.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 INFINEON INFNS27728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.90 грн
250+68.93 грн
500+54.41 грн
1000+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 INFINEON 83321.pdf Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.84 грн
10+120.06 грн
100+81.74 грн
500+58.95 грн
1000+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD08N50C3_DataSheet_v02_07_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.13 грн
10+119.96 грн
100+71.19 грн
500+57.23 грн
1000+53.21 грн
2500+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.71 грн
10+131.41 грн
100+89.86 грн
500+67.64 грн
1000+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 7.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 Infineon fundamentals-of-power-semiconductors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 INFNS27728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+75.90 грн
250+68.93 грн
500+54.41 грн
1000+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 83321.pdf
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+185.84 грн
10+120.06 грн
100+81.74 грн
500+58.95 грн
1000+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 Infineon_SPD08N50C3_DataSheet_v02_07_EN.pdf
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.13 грн
10+119.96 грн
100+71.19 грн
500+57.23 грн
1000+53.21 грн
2500+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SPD08N50C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+211.71 грн
10+131.41 грн
100+89.86 грн
500+67.64 грн
1000+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 7.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.