SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies


Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.28 грн
5000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SPD08P06PGBTMA1 за ціною від 18.06 грн до 61.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+29.34 грн
535+26.46 грн
547+25.87 грн
672+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.96 грн
26+29.34 грн
100+25.51 грн
250+23.10 грн
500+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+33.00 грн
483+29.32 грн
540+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+43.42 грн
340+41.68 грн
500+40.18 грн
1000+37.48 грн
2500+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+48.50 грн
100+33.30 грн
500+24.98 грн
1000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
на замовлення 95937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 INFINEON Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
483+29.34 грн
535+26.46 грн
547+25.87 грн
672+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.96 грн
26+29.34 грн
100+25.51 грн
250+23.10 грн
500+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+33.00 грн
483+29.32 грн
540+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
326+43.42 грн
340+41.68 грн
500+40.18 грн
1000+37.48 грн
2500+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 326 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.99 грн
10+48.50 грн
100+33.30 грн
500+24.98 грн
1000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
на замовлення 95937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.