SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.28 грн |
| 5000+ | 19.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SPD08P06PGBTMA1 за ціною від 18.06 грн до 61.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 322500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 322500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 |
на замовлення 95937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SPD08P06PGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 32778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.65 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.00 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 483+ | 29.34 грн |
| 535+ | 26.46 грн |
| 547+ | 25.87 грн |
| 672+ | 20.32 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.96 грн |
| 26+ | 29.34 грн |
| 100+ | 25.51 грн |
| 250+ | 23.10 грн |
| 500+ | 18.06 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 33.00 грн |
| 483+ | 29.32 грн |
| 540+ | 26.21 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 326+ | 43.42 грн |
| 340+ | 41.68 грн |
| 500+ | 40.18 грн |
| 1000+ | 37.48 грн |
| 2500+ | 33.68 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.99 грн |
| 10+ | 48.50 грн |
| 100+ | 33.30 грн |
| 500+ | 24.98 грн |
| 1000+ | 22.10 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
на замовлення 95937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SPD08P06PGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





