SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 236+ | 60.20 грн |
| 335+ | 42.38 грн |
| 338+ | 41.96 грн |
| 500+ | 35.44 грн |
| 1000+ | 22.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
236 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SPD08P06PGBTMA1 за ціною від 21.93 грн до 86.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SPD08P06PGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 32778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPD08P06PGBTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 85.84 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 166+ | 85.84 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 86.87 грн |
| 13+ | 60.81 грн |
| 25+ | 60.20 грн |
| 100+ | 40.87 грн |
| 250+ | 37.46 грн |
| 500+ | 31.50 грн |
| 1000+ | 21.93 грн |
| SPD08P06PGBTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SPD08P06PGBTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)