Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD08P06PGBTMA1
SPD08P06PGBTMA1

SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies

spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPD08P06PGBTMA1 за ціною від 14.37 грн до 63.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
558+21.83 грн
560+21.75 грн
653+18.66 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 558
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.70 грн
25000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.83 грн
5000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.45 грн
25000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
426+28.59 грн
490+24.88 грн
500+24.37 грн
574+20.45 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.75 грн
23+26.81 грн
25+26.55 грн
100+22.28 грн
250+20.20 грн
500+16.88 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.81 грн
100+36.64 грн
500+27.37 грн
1000+20.89 грн
5000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD08P06PG_DS_v01_92_en-1732187.pdf MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
на замовлення 99378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.19 грн
10+45.83 грн
100+29.14 грн
500+23.93 грн
1000+20.40 грн
2500+20.26 грн
25000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.51 грн
10+49.69 грн
100+34.12 грн
500+25.60 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd08p06pg_rev.1.92.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5fileiddb3a30431ed1d7b2011f.pdffolderiddb3a30431ed1d7b2011f40.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD08P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.