Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD09P06PLGBTMA1
SPD09P06PLGBTMA1

SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

spd09p06plrev2.6.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD09P06PLGBTMA1 за ціною від 19.51 грн до 89.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.67 грн
5000+22.85 грн
7500+21.90 грн
12500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.70 грн
5000+24.81 грн
7500+23.92 грн
10000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.60 грн
5000+26.58 грн
7500+25.63 грн
10000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.66 грн
500+31.56 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+58.87 грн
295+41.18 грн
308+39.41 грн
500+30.91 грн
1000+26.03 грн
2500+24.36 грн
5000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92C871EC1151CC&compId=SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=159e1dd4d16b5783d745104ea92eb75c1c742566 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.10 грн
10+52.92 грн
24+39.45 грн
50+38.66 грн
66+37.30 грн
100+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.63 грн
10+58.42 грн
100+39.19 грн
500+28.65 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.66 грн
50+61.28 грн
100+42.66 грн
500+31.56 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92C871EC1151CC&compId=SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf?ci_sign=159e1dd4d16b5783d745104ea92eb75c1c742566 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.52 грн
10+65.95 грн
24+47.34 грн
50+46.39 грн
66+44.76 грн
100+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD09P06PL-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.09 грн
10+60.19 грн
100+34.51 грн
500+27.39 грн
1000+24.48 грн
2500+21.65 грн
5000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.