Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD09P06PLGBTMA1
SPD09P06PLGBTMA1

SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.84 грн
5000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SPD09P06PLGBTMA1 за ціною від 22.15 грн до 83.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.96 грн
5000+28.77 грн
7500+27.74 грн
10000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.96 грн
5000+28.77 грн
7500+27.74 грн
10000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies spd09p06plrev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.28 грн
295+47.77 грн
308+45.71 грн
500+35.86 грн
1000+30.19 грн
2500+28.26 грн
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.13 грн
10+50.55 грн
100+33.35 грн
500+24.38 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD09P06PL_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 spd09p06plrev2.6.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.96 грн
5000+28.77 грн
7500+27.74 грн
10000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 spd09p06plrev2.6.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.96 грн
5000+28.77 грн
7500+27.74 грн
10000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 spd09p06plrev2.6.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+68.28 грн
295+47.77 грн
308+45.71 грн
500+35.86 грн
1000+30.19 грн
2500+28.26 грн
5000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.13 грн
10+50.55 грн
100+33.35 грн
500+24.38 грн
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 Infineon_SPD09P06PL_DS_v02_06_en.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.