Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD15P10PGBTMA1
SPD15P10PGBTMA1

SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies

SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPD15P10PGBTMA1 за ціною від 42.52 грн до 141.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.64 грн
5000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.41 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+93.85 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+124.57 грн
122+115.20 грн
166+85.14 грн
200+77.13 грн
500+60.38 грн
1000+52.10 грн
2000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.63 грн
10+87.32 грн
100+59.29 грн
500+44.36 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 INFINEON INFNS19265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD15P10PGBTMA1 - HF-FET-Transistor, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD15P10P_G-DS-v01_08-en.pdf MOSFETs P-Ch -100V 15A DPAK-2
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.64 грн
5000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.41 грн
5000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
375+93.85 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 spd15p10pg_rev1.8.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+124.57 грн
122+115.20 грн
166+85.14 грн
200+77.13 грн
500+60.38 грн
1000+52.10 грн
2000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.63 грн
10+87.32 грн
100+59.29 грн
500+44.36 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 INFNS19265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD15P10PGBTMA1 - HF-FET-Transistor, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PGBTMA1 Infineon-SPD15P10P_G-DS-v01_08-en.pdf
SPD15P10PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -100V 15A DPAK-2
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.