 
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
 Виробник: Infineon Technologies
                                                Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 51.61 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції SPD15P10PLGBTMA1 за ціною від 44.94 грн до 142.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 527418 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2232 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4970 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 527418 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A On-state resistance: 0.2Ω Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 128W Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 2164 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2232 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3696 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5216 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A On-state resistance: 0.2Ω Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 128W Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2164 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 12542 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs P-Ch -100V 15A DPAK-2 | на замовлення 3710 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4147 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon |  Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C;  SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PL G TSPD15p10pl кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт:термін постачання 28-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності |