Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD18P06PGBTMA1
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies

spd18p06p_rev.3.4_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPD18P06PGBTMA1 за ціною від 29.49 грн до 133.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+56.03 грн
229+55.47 грн
257+49.58 грн
259+47.33 грн
500+40.43 грн
1000+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+65.26 грн
13+60.03 грн
25+59.43 грн
100+51.23 грн
250+46.96 грн
500+41.59 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.67 грн
10+70.66 грн
100+47.81 грн
500+40.59 грн
1000+35.36 грн
2500+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+111.30 грн
120+106.32 грн
250+102.06 грн
500+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.07 грн
12+78.36 грн
100+52.83 грн
500+40.55 грн
1000+35.45 грн
5000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.79 грн
10+84.24 грн
100+56.42 грн
500+41.72 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 53553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.20 грн
10+83.88 грн
100+48.68 грн
500+38.29 грн
1000+35.04 грн
2500+31.40 грн
5000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Виробник : Infineon Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG
Код товару: 129215
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 SPD18P06PGBTMA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.94 грн
18+68.38 грн
48+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG SPD18P06PG Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.