Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD18P06PGBTMA1
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies

spd18p06p_rev.3.4_.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD18P06PGBTMA1 за ціною від 28.10 грн до 122.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+53.82 грн
229+53.29 грн
257+47.63 грн
259+45.47 грн
500+38.84 грн
1000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.70 грн
13+57.67 грн
25+57.09 грн
100+49.21 грн
250+45.11 грн
500+39.95 грн
1000+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D584FDDFF1CC&compId=SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF?ci_sign=da6a29aaaa090540fd1b2071f208587cdcd3da3a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.73 грн
10+71.40 грн
18+54.74 грн
47+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 61390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.74 грн
10+70.07 грн
100+39.76 грн
500+32.90 грн
1000+31.15 грн
2500+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.63 грн
10+67.88 грн
100+45.93 грн
500+39.00 грн
1000+33.97 грн
2500+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92D584FDDFF1CC&compId=SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF?ci_sign=da6a29aaaa090540fd1b2071f208587cdcd3da3a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.48 грн
10+88.98 грн
18+65.69 грн
47+61.88 грн
2500+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.95 грн
12+75.10 грн
100+50.67 грн
500+38.88 грн
1000+33.98 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG
Код товару: 129215
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.92 грн
120+102.14 грн
250+98.05 грн
500+91.13 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.76 грн
10+80.92 грн
100+54.20 грн
500+40.08 грн
1000+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Виробник : Infineon Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd18p06p_rev.3.4_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG SPD18P06PG Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.