Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Name: SPD18P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 263346-7
Price: 30.9 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	30.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції SPD18P06PGBTMA1 за ціною від 28.83 грн до 102.28 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	37.14 грн
5000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	37.87 грн
5000+	36.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	40.85 грн
5000+	39.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
214+	54.6 грн
216+	54.05 грн
246+	47.45 грн
250+	45.3 грн
500+	38.32 грн
1000+	31.05 грн

Мінімальне замовлення: 214

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	55.37 грн
12+	50.7 грн
25+	50.19 грн
100+	42.49 грн
250+	38.95 грн
500+	34.16 грн
1000+	28.83 грн

Мінімальне замовлення: 11

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	72.43 грн
10+	61.77 грн
17+	47.35 грн
47+	44.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 9750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
152+	77.03 грн
161+	72.66 грн
185+	63.13 грн
200+	58.05 грн
500+	53.59 грн
1000+	47.27 грн
2000+	44.85 грн
2500+	44.77 грн
5000+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 152

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	86.92 грн
10+	76.97 грн
17+	56.83 грн
47+	53.53 грн
2500+	51.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V

на замовлення 8288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	89.8 грн
10+	70.76 грн
100+	55.03 грн
500+	43.77 грн
1000+	35.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf

MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

на замовлення 76486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	93.78 грн
10+	75.77 грн
100+	50.86 грн
500+	43.35 грн
1000+	34.66 грн
2500+	33.86 грн
5000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SPD18P06P G

Виробник : Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

на замовлення 10911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	96.85 грн
10+	78.04 грн
100+	53.17 грн
500+	45.07 грн
1000+	38.48 грн
2500+	32.68 грн
10000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : INFINEON

INFNS19242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm

на замовлення 11327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	100.52 грн
10+	78.34 грн
100+	57.06 грн
500+	45.16 грн
1000+	39.91 грн
5000+	38.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

SPD18P06P G

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
115+	102.28 грн
120+	97.71 грн
250+	93.79 грн
500+	87.18 грн
1000+	78.09 грн

Мінімальне замовлення: 115

SPD18P06PG

Виробник : Infineon

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 31 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
20+	40.87 грн

Мінімальне замовлення: 20

SPD18P06PG

на замовлення 5638 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SPD18P06PGBTMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SPD18P06PG

Виробник : Infineon Technologies

Description: SPD18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V

товар відсутній

SPD18P06PG
Код товару: 129215

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній