Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SPD18P06PG

SPD18P06PG

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Код товару: 129215
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPD18P06PG за ціною від 26.64 грн до 139.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+59.53 грн
1000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+59.53 грн
1000+54.89 грн
10000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.54 грн
13+59.18 грн
25+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.69 грн
12+65.91 грн
100+53.84 грн
500+45.26 грн
1000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.27 грн
10+62.82 грн
100+42.50 грн
500+36.09 грн
1000+31.44 грн
2500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.64 грн
10+72.11 грн
15+66.18 грн
25+59.39 грн
50+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.15 грн
10+77.88 грн
100+52.16 грн
500+38.57 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 50433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.41 грн
10+74.57 грн
100+43.28 грн
500+34.11 грн
1000+31.15 грн
2500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.49 грн
121+117.01 грн
250+112.33 грн
500+104.41 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON INFNS19242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.50 грн
10+87.16 грн
100+57.81 грн
500+44.06 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.56 грн
149+95.26 грн
214+66.27 грн
500+51.32 грн
1000+42.08 грн
2500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
595+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
595+59.53 грн
1000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
595+59.53 грн
1000+54.89 грн
10000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+69.54 грн
13+59.18 грн
25+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+78.69 грн
12+65.91 грн
100+53.84 грн
500+45.26 грн
1000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en-1732188.pdf
SPD18P06P G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.27 грн
10+62.82 грн
100+42.50 грн
500+36.09 грн
1000+31.44 грн
2500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+109.64 грн
10+72.11 грн
15+66.18 грн
25+59.39 грн
50+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.15 грн
10+77.88 грн
100+52.16 грн
500+38.57 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 Infineon_SPD18P06P_DS_v03_04_en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 50433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.41 грн
10+74.57 грн
100+43.28 грн
500+34.11 грн
1000+31.15 грн
2500+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06P G
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
116+122.49 грн
121+117.01 грн
250+112.33 грн
500+104.41 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 INFNS19242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+136.50 грн
10+87.16 грн
100+57.81 грн
500+44.06 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
102+139.56 грн
149+95.26 грн
214+66.27 грн
500+51.32 грн
1000+42.08 грн
2500+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.