Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SPD18P06PG

SPD18P06PG

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Код товару: 129215
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPD18P06PG за ціною від 39.78 грн до 123.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.40 грн
16+50.36 грн
25+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -18.6A; 80W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
47+98.65 грн
50+66.02 грн
100+61.07 грн
300+57.77 грн
500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.54 грн
10+78.40 грн
15+73.45 грн
50+61.90 грн
100+56.12 грн
500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G SPD18P06P G Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+123.31 грн
121+117.80 грн
250+113.08 грн
500+105.10 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineon_spd18p06p_ds_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 27549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd18p06pdsv0304en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.40 грн
16+50.36 грн
25+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G
SPD18P06P G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -18.6A; 80W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+98.65 грн
50+66.02 грн
100+61.07 грн
300+57.77 грн
500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.54 грн
10+78.40 грн
15+73.45 грн
50+61.90 грн
100+56.12 грн
500+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06P G infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06P G
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
116+123.31 грн
121+117.80 грн
250+113.08 грн
500+105.10 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineon_spd18p06p_ds_en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
на замовлення 27549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P_Rev.3.4.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD18P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 infineonspd18p06pdsv0304en.pdf
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 18,6A; 80W; -55°C ~ 175°C; SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06P G TSPD18p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PG Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f404c85eb4ee3
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.