Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD30N08S2-22
SPD30N08S2-22

SPD30N08S2-22 Infineon Technologies

SPD30N08S2-22.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
373+54.16 грн
Мінімальне замовлення: 373
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD30N08S2-22 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SPD30N08S2-22 за ціною від 62.98 грн до 75.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD30N08S2-22 Виробник : Infineon Technologies SPD30N08S2-22.pdf SPD30N08S2-22
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
467+75.87 грн
518+68.28 грн
1000+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 467
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N08S2-22 Виробник : INFINEON SPD30N08S2-22.pdf 07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N08S2-22 SPD30N08S2-22 Виробник : Infineon Technologies SPD30N08S2-22.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.