Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD30N08S2-22
SPD30N08S2-22

SPD30N08S2-22 Infineon Technologies

SPD30N08S2-22.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
547+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 547
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD30N08S2-22 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD30N08S2-22 за ціною від 45.62 грн до 48.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD30N08S2-22 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS SPD30N08S2-22.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD30N08S2-22 - SPD30N08 - OPTLMOS, 30A, 75V, 0.0215OHM,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
527+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N08S2-22 Виробник : Infineon Technologies SPD30N08S2-22.pdf SPD30N08S2-22
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
632+48.30 грн
1000+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 632
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N08S2-22 Виробник : INFINEON SPD30N08S2-22.pdf 07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N08S2-22 Виробник : INFINEON SPD30N08S2-22.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N08S2-22 SPD30N08S2-22 Виробник : Infineon Technologies SPD30N08S2-22.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.