Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD30P06PGBTMA1
SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies

SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.92 грн
5000+ 47.19 грн
12500+ 45.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SPD30P06PGBTMA1 за ціною від 45.92 грн до 122.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+71.88 грн
500+ 60.6 грн
1000+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+95.88 грн
50+ 83.99 грн
100+ 71.88 грн
500+ 60.6 грн
1000+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.09 грн
5+ 84.89 грн
13+ 64.88 грн
34+ 61.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd30p06p_rev.2.3_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
109+107.42 грн
115+ 101.61 грн
132+ 88.55 грн
200+ 81.47 грн
500+ 75.17 грн
1000+ 66.28 грн
2000+ 62.96 грн
2500+ 62.8 грн
5000+ 61.55 грн
Мінімальне замовлення: 109
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.24 грн
10+ 90.28 грн
100+ 71.88 грн
500+ 57.08 грн
1000+ 48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.3 грн
5+ 105.79 грн
13+ 77.85 грн
34+ 73.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD30P06P_DS_v02_03_en-1227684.pdf MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.91 грн
10+ 95.25 грн
100+ 69.57 грн
250+ 68.25 грн
500+ 58.17 грн
1000+ 49.83 грн
2500+ 45.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd30p06p_rev.2.3_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній