Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD30P06PGBTMA1
SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies

spd30p06p_rev.2.3_pdf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPD30P06PGBTMA1 за ціною від 36.33 грн до 148.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.29 грн
500+48.09 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd30p06p_rev.2.3_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 124384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
442+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 442
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd30p06p_rev.2.3_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.68 грн
10+81.80 грн
16+57.34 грн
43+54.28 грн
250+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.79 грн
50+93.86 грн
100+65.29 грн
500+48.09 грн
1000+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.41 грн
10+101.94 грн
16+68.80 грн
43+65.13 грн
250+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.31 грн
10+85.85 грн
100+58.58 грн
500+43.60 грн
1000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD30P06P_DS_v02_03_en-1227684.pdf MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.98 грн
10+97.06 грн
100+57.91 грн
500+45.94 грн
1000+42.13 грн
2500+37.87 грн
5000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.