Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
Код товару: 211124
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPD30P06PGBTMA1 за ціною від 34.75 грн до 164.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.61 грн
500+49.02 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+80.22 грн
500+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 124284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+80.22 грн
500+72.19 грн
1000+66.58 грн
10000+57.24 грн
100000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.91 грн
5+95.02 грн
10+78.05 грн
50+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD30P06P-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.50 грн
10+85.92 грн
100+50.40 грн
500+39.96 грн
1000+34.89 грн
2500+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.31 грн
10+88.57 грн
100+59.76 грн
500+44.46 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.59 грн
50+97.85 грн
100+66.61 грн
500+49.02 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+164.47 грн
145+98.03 грн
189+75.16 грн
500+59.16 грн
1000+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 Infineon SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+66.61 грн
500+49.02 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
441+80.22 грн
500+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 124284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
441+80.22 грн
500+72.19 грн
1000+66.58 грн
10000+57.24 грн
100000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+127.91 грн
5+95.02 грн
10+78.05 грн
50+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 Infineon-SPD30P06P-DS-v02_03-en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.50 грн
10+85.92 грн
100+50.40 грн
500+39.96 грн
1000+34.89 грн
2500+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.31 грн
10+88.57 грн
100+59.76 грн
500+44.46 грн
1000+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+154.59 грн
50+97.85 грн
100+66.61 грн
500+49.02 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
86+164.47 грн
145+98.03 грн
189+75.16 грн
500+59.16 грн
1000+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 infineonspd30p06pdsv0203en.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.