Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4
Код товару: 211124
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPD30P06PGBTMA1 за ціною від 34.13 грн до 151.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.86 грн
500+44.85 грн
1000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
441+78.79 грн
500+70.90 грн
1000+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 441
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonspd30p06pdsv0203en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 124284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
441+78.79 грн
500+70.90 грн
1000+65.39 грн
10000+56.22 грн
100000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 441
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.63 грн
5+93.33 грн
10+76.66 грн
50+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD30P06P-DS-v02_03-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -30A DPAK-2
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.07 грн
10+84.39 грн
100+49.50 грн
500+39.25 грн
1000+34.27 грн
2500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.74 грн
10+86.99 грн
100+58.69 грн
500+43.67 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 Виробник : INFINEON INFNS17075-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD30P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.03 грн
50+55.73 грн
100+48.86 грн
500+44.85 грн
1000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 Виробник : Infineon SPD30P06P_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f404fbc7e4ef4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06P G TSPD30p06p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.