Технічний опис SPD35N10 INF
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPD35N10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SPD35N10 | Виробник : INFINEON |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD35N10 | Виробник : INFINEON |
07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD35N10 | Виробник : INFINEON |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD35N10 | Виробник : INFINEON |
TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SPD35N10 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
SPD35N10 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
SPD35N10 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 |
товар відсутній |