Продукція > INF > SPD35N10

SPD35N10 INF

SPD35N10.pdf Виробник: INF
07+;
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD35N10 INF

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD35N10

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD35N10 Виробник : INFINEON SPD35N10.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD35N10 Виробник : INFINEON SPD35N10.pdf 07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD35N10 Виробник : INFINEON SPD35N10.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD35N10 Виробник : INFINEON SPD35N10.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPD35N10 SPD35N10 Виробник : Infineon Technologies SPD35N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD35N10 SPD35N10 Виробник : Infineon Technologies SPD35N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 26.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD35N10 SPD35N10 Виробник : Infineon Technologies DC_DC_Selection_1-520800.pdf MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.