Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD50N03S207GBTMA1
SPD50N03S207GBTMA1

SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

SPD50N03S207G-DTE.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+36.02 грн
25+34.49 грн
70+33.72 грн
100+32.95 грн
500+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD50N03S207GBTMA1 за ціною від 38.62 грн до 44.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD50N03S207G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.88 грн
25+41.38 грн
70+40.46 грн
100+39.54 грн
500+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd50n03s2-07rev1.2.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD50N03S2-07G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD50N03S2-07G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD50N03S2_DS_v01_02_en-2526808.pdf MOSFET LV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.