Інші пропозиції SPB21N50C3 за ціною від 66.41 грн до 242.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Case: PG-TO252-5 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A On-state resistance: 7mΩ Polarisation: unipolar Power dissipation: 150W Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1151 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P |
на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 Код товару: 126532
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |