Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD50P03LGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1

SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies

spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm.

Інші пропозиції SPD50P03LGBTMA1 за ціною від 66.84 грн до 189.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : INFINEON 1849676.html Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+101.91 грн
500+ 85.84 грн
1000+ 68.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+171.97 грн
80+ 144.61 грн
100+ 136.8 грн
500+ 118.72 грн
1000+ 103.81 грн
2000+ 97.15 грн
Мінімальне замовлення: 67
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD50P03LG_DS_v01_09_en-1732178.pdf MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.63 грн
10+ 131.34 грн
100+ 99.28 грн
250+ 94.74 грн
500+ 83.71 грн
1000+ 72.03 грн
2500+ 66.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : INFINEON 1849676.html Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+189.26 грн
10+ 138.31 грн
100+ 101.91 грн
500+ 85.84 грн
1000+ 68.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+72.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPD50P03LGBTMA1
Код товару: 126532 		SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
товар відсутній
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
товар відсутній
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPB21N50C3 SPB21N50C3
Код товару: 115739 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній