Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SPD50P03LGBTMA1

SPD50P03LGBTMA1

SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
Код товару: 126532
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SPD50P03LGBTMA1 за ціною від 64.81 грн до 276.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON 1849676.html Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.94 грн
500+89.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.60 грн
10+148.84 грн
100+108.54 грн
500+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.91 грн
10+146.45 грн
100+101.39 грн
500+77.08 грн
1000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD50P03LG_DS_v01_09_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.56 грн
10+164.54 грн
100+100.79 грн
500+84.58 грн
1000+78.24 грн
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.13 грн
75+191.04 грн
104+136.54 грн
500+110.07 грн
1000+99.58 грн
2500+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 Infineon SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+92.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 1849676.html
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+115.94 грн
500+89.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
231+153.22 грн
500+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
231+153.22 грн
500+137.90 грн
1000+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+185.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+228.60 грн
10+148.84 грн
100+108.54 грн
500+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+233.91 грн
10+146.45 грн
100+101.39 грн
500+77.08 грн
1000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 Infineon_SPD50P03LG_DS_v01_09_en.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+256.56 грн
10+164.54 грн
100+100.79 грн
500+84.58 грн
1000+78.24 грн
2500+73.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
52+276.13 грн
75+191.04 грн
104+136.54 грн
500+110.07 грн
1000+99.58 грн
2500+88.30 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.