Інші пропозиції SPD50P03LGBTMA1 за ціною від 63.96 грн до 277.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A Power dissipation: 150W Case: PG-TO252-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPD50P03LGBTMA1 | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03lкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 93.35 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 93.47 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.24 грн |
| 10+ | 71.23 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 154.24 грн |
| 500+ | 138.82 грн |
| 1000+ | 128.14 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 231+ | 154.24 грн |
| 500+ | 138.82 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 180.42 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 277.97 грн |
| 75+ | 192.32 грн |
| 104+ | 137.45 грн |
| 500+ | 110.81 грн |
| 1000+ | 100.24 грн |
| 2500+ | 88.89 грн |
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C; SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03L G TSPD50p03l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 63.96 грн |






