SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 217+ | 101.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: SPI11N60C3 - 600V COOLMOS N-CHAN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPI11N60C3XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
SPI11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 11A I2PAK-3 |
товару немає в наявності |