SPP02N60C3XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP02N60C3XKSA1 - SPP02N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
607+ | 41.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP02N60C3XKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP02N60C3XKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPP02N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SPP02N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SPP02N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |