
SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 624418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
656+ | 33.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP03N60C3XKSA1 за ціною від 44.77 грн до 44.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 521907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
SPP03N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |