Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP03N60C3XKSA1
SPP03N60C3XKSA1

SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dfb1c492b Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 623918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
799+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 799
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPP03N60C3XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_01-en-1227599.pdf MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp_a03n60c3_rev.3.1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp_a03n60c3_rev.3.1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dfb1c492b Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товар відсутній