
SPP03N60S5 Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 29235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
495+ | 44.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP03N60S5 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP03N60S5 за ціною від 27.00 грн до 31.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPP03N60S5 Код товару: 23827
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Infineon |
![]() Uds,V: 600 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 420/ - Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
![]() |
SPP03N60S5 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
SPP03N60S5 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |