
SPP04N60C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 61.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP04N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP04N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SPP04N60C3XKSA1 за ціною від 68.18 грн до 147.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SPP04N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |