SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SPP04N80C3XKSA1 за ціною від 39.08 грн до 163.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SPP04N80C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |