Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XKSA1

SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies

spp04n80c3_rev2.91.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
381+92.36 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SPP04N80C3XKSA1 за ціною від 44.96 грн до 193.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp04n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.23 грн
163+86.50 грн
500+65.00 грн
1000+53.15 грн
2500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.47 грн
50+63.23 грн
100+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp04n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.30 грн
10+95.41 грн
100+86.65 грн
500+62.80 грн
1000+49.31 грн
2500+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 INFINEON 1849677.html Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 spp04n80c3_rev2.91.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
148+95.23 грн
163+86.50 грн
500+65.00 грн
1000+53.15 грн
2500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.47 грн
50+63.23 грн
100+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 spp04n80c3_rev2.91.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+193.30 грн
10+95.41 грн
100+86.65 грн
500+62.80 грн
1000+49.31 грн
2500+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 1849677.html
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 Infineon-SPP04N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f71e205c68
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4A; 63W; -55°C ~ 150°C; SPP04N80C3 TSPP04n80c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.