SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 162.24 грн |
| 10+ | 146.18 грн |
| 50+ | 137.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SPP08N80C3 за ціною від 60.23 грн до 210.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP08N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SPP08N80C3 | Виробник : Infineon |
CoolMOS 8A 800V 104W 0.65Ω SPP08N80C3 TSPP08N80C3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
SPP08N80C3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |