Технічний опис SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SPP08N80C3XKSA1 за ціною від 55.05 грн до 211.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 122.53 грн |
| 50+ | 121.30 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 187.48 грн |
| 10+ | 107.72 грн |
| 100+ | 98.68 грн |
| 500+ | 76.13 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.17 грн |
| 10+ | 97.27 грн |
| 100+ | 76.12 грн |
| 500+ | 55.05 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.71 грн |
| 50+ | 100.93 грн |
| 100+ | 90.95 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






