SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 221.53 грн |
| 10+ | 138.28 грн |
| 50+ | 105.99 грн |
| 100+ | 89.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 104W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm.
Інші пропозиції SPP08N80C3XKSA1 за ціною від 84.23 грн до 284.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SPP08N80C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 253.03 грн |
| 101+ | 140.73 грн |
| 102+ | 139.32 грн |
| 111+ | 123.62 грн |
| 500+ | 84.23 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 255.09 грн |
| 10+ | 141.88 грн |
| 50+ | 140.46 грн |
| 100+ | 124.63 грн |
| 500+ | 84.92 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 280.56 грн |
| 97+ | 145.94 грн |
| 98+ | 144.48 грн |
| 107+ | 127.27 грн |
| 500+ | 85.07 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 284.29 грн |
| 10+ | 147.88 грн |
| 50+ | 146.40 грн |
| 100+ | 128.97 грн |
| 500+ | 86.20 грн |
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SPP08N80C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





