SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SPP11N60C3XKSA1 за ціною від 73.17 грн до 284.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 19953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 19961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3 |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SPP11N60C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |