Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP11N60C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1

SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies

infineonsppia11n60c3dsen.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+116.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm.

Інші пропозиції SPP11N60C3XKSA1 за ціною від 116.68 грн до 210.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+116.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies infineonsppia11n60c3dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.44 грн
10+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON INFNS14196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 infineonsppia11n60c3dsen.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+116.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 infineonsppia11n60c3dsen.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
194+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+210.44 грн
10+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN.pdf
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 INFNS14196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.