 
SPP11N60CFDXKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
 Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
                                                Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP11N60CFDXKSA1 - SPP11N60 - LOW POWERLEGACY
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 153+ | 172.19 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP11N60CFDXKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V. 
Інші пропозиції SPP11N60CFDXKSA1 за ціною від 87.06 грн до 215.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SPP11N60CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 | на замовлення 500 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| SPP11N60CFDXKSA1 | Виробник : Infineon |   | на замовлення 500 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
|   | SPP11N60CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | SPP11N60CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | SPP11N60CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності |