Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP11N80C3
SPP11N80C3

SPP11N80C3 Infineon Technologies

Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.85 грн
10+185.57 грн
100+126.56 грн
500+105.20 грн
1000+90.18 грн
2500+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP11N80C3 Infineon Technologies

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SPP11N80C3 за ціною від 106.79 грн до 233.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPP11N80C3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a SPP11N80C3 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.20 грн
11+112.72 грн
29+106.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3
Код товару: 111118
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+165.00 грн
10+149.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.