Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP11N80C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1

SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies

spp11n80c3_rev2.91.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
291+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SPP11N80C3XKSA1 за ціною від 76.83 грн до 294.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+138.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.25 грн
50+128.02 грн
100+115.84 грн
500+88.68 грн
1000+82.24 грн
2000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.54 грн
10+136.17 грн
100+107.13 грн
500+86.69 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 INFINEON INFNS16621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.65 грн
10+138.97 грн
100+125.81 грн
500+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.38 грн
25+164.46 грн
100+150.19 грн
500+111.07 грн
1000+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.24 грн
86+166.08 грн
100+151.66 грн
500+112.17 грн
1000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+208.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+138.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+263.25 грн
50+128.02 грн
100+115.84 грн
500+88.68 грн
1000+82.24 грн
2000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 Infineon_SPP11N80C3_DS_v02_91_en.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+270.54 грн
10+136.17 грн
100+107.13 грн
500+86.69 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 INFNS16621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+274.65 грн
10+138.97 грн
100+125.81 грн
500+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+291.38 грн
25+164.46 грн
100+150.19 грн
500+111.07 грн
1000+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
49+294.24 грн
86+166.08 грн
100+151.66 грн
500+112.17 грн
1000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 spp11n80c3_rev2.91.pdf
SPP11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 291 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a
Виробник: Infineon
N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+208.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.