Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP11N80C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1

SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies

spp11n80c3_rev2.91.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
291+57.49 грн
Мінімальне замовлення: 291
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SPP11N80C3XKSA1 за ціною від 76.56 грн до 242.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+118.26 грн
8000+108.06 грн
12000+100.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+156.04 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.21 грн
25+132.86 грн
100+107.17 грн
500+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.55 грн
10+220.85 грн
25+145.20 грн
100+128.68 грн
500+90.60 грн
1000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.96 грн
50+119.17 грн
100+109.11 грн
500+81.34 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : INFINEON INFNS16621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP11N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.59 грн
10+188.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+242.27 грн
65+190.53 грн
100+138.79 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a9132fee5c9a N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 SPP11N80C3XKSA1 TSPP11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+187.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies spp11n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.